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电子元器件废水处理工程中MBR曝气装置的设计要点 来源:依斯倍     发布日期 2021-09-08 00:00

电子半导体废水处理


今天依斯倍环保将和你谈谈电子元器件废水处理工程中MBR曝气装置的设计要点,希望对你的日常环保设备维护工作有所帮助。

 

1.电子元器件废水处理工程中曝气装置可固定在池底(需要做膜组件支架和膜组件滑入导轨),或与膜组件一起做,各有利弊。曝光气管的位置要慎重考虑。每根膜片间隙对应一穿孔管,穿孔尺寸为φ2.0mm ,穿孔间距为100mm。邻接管道的穿孔位置交错穿插,孔是单排垂直向上。可以使用双行和倾斜方式。依斯倍认为不可取,沉降污泥不会堵塞孔。

 

2.大致估计通气量。依据经验数据,风机排气压头可按汽水比24:1(常规池深3.5m)选择,比大液位高0.01兆帕;风机出口设置排气阀,排气管口径全开,排出70% 的空气量。排气口设有消音装置,用来控制生化槽差量,保护风机。

 

各膜组合曝气设置有单独的调节阀,而整个生化槽的充氧曝气另作独立控制阀,并采用微孔充氧曝气装置,保证了混合空气和充氧空气的灵活调节。

 

MBR池的控制在2.5~5ppm之间,正常的液位在3ppm左右,液位高低不同,不宜长时间超过5.0ppm。

 

上面是依斯倍环保小编和大家聊的电子元器件废水处理工程中MBR曝气装置的设计要点,希望能对大家有所帮助。


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【本文标签】: 电子元器件废水处理 废水处理工程 MBR曝气装置

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